基本信息
| 标准名称： | 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 |
| 英文名称： | Polycrystalline silicon—Examination method—Zone-melting on phosphorus under controlled atmosphere |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属化学分析方法 >> 半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： | 冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料试验综合 |
| 替代情况： | 替代GB/T 4059-1983 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2007-12-18 |
| 实施日期： | 2008-02-01 |
| 首发日期： | 1983-12-20 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 中国有色金属工业协会 |
| 提出单位： | 中国有色金属工业协会 |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： | 蛾眉半导体材料厂 |
| 起草人： | 罗莉萍、梁洪、覃锐兵、王炎、王向东 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2008-02-01 |
| 页数： | 8页 |
| 计划单号： | 20031796-T-610 |
适用范围
本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。
前言
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目录
没有内容
引用标准
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T1551 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法
GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T13389 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T14264 半导体材料术语
所属分类： 冶金 金属化学分析方法 半金属及半导体材料分析方法 冶金 金属材料试验 金属材料试验综合